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    吸收电容的结构特点

    来源:   发布时间:2018-09-13   点击量:231

        双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗,多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路。

        电容结构: 双层金属化膜,内部串联结构

        封装: 阻燃塑胶外壳,环氧树脂封装,符合(UL94V-0 )标准.

        尺寸: 适合于各种IGBT保护。

        吸收电容的技术参数

        电容量: 0.0047 to 6.8μF

        额定电压: 700 to 3000 Vdc

        损耗角正切:

        测试条件 1000±20 Hz , 25±5℃.

        Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4

        绝缘电阻: 3000s,s= MΩ. μF

        测试条件 1 minute,100Vdc (25±5℃)

        耐电压: 2Ur (DC)测试条件 10s,t 25±5℃,1Min

        工作温度: -40~+85℃

        吸收电容的作用母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感,对IGBT 电路尤其是大功率IGBT 电路,有极大的影响。因此,希望它愈小愈好。要减小这些电感,需从多方面入手。第一,直流母线要尽量地短;第二,缓冲电路要尽可能地贴近模块;第三,选用低电感的聚丙烯无极电容,与IGBT 相匹配的快速缓冲二极管,以及无感泄放电阻;第四,其它有效措施。目前,缓冲电路的制作工艺也有多种方式:有用分立件连接的;有通过印制版连接的;更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT 模块上的。显然,最后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施,因而缓冲效果最好,能最大限度地保护IGBT 安全运行。
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